首    页      研究院简介      入驻机构      合作项目      成果转化      攻关项目      联系我们
 
当前位置:首页 >> 信息中心
科民电子助力中科院上海技物所、武汉大学研发浮栅结构低维材料光电探测器
来源:jc.ac.cn  发布时间:2016-08-11  点击次数:2187
                                         
近日,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室胡伟达研究员、武汉大学廖蕾教授等研究人员在Advanced Functional Materials上发表研究文章:“High-SensitivityFloating-Gate Phototransistors Based on WS2 and MoS2” (DOI: 10.1002/adfm.201601346)。该文章论述了研究人员在浮栅结构二维材料光电探测器研究方面取得的进展。嘉兴科民电子设备有限公司研发的KEMICRO-TALD200A型机器在该器件中完成了隧穿和阻隔氧化物的工作,成功助力该光电探测器的研发工作。
                                         
注:此图为文章中嘉兴科民电子KEMICRO-TALD200A型机器设备

注:上图摘自文章“High-SensitivityFloating-Gate Phototransistors Based on WS2 and MoS2” (DOI: 10.1002/adfm.201601346)
                
注:上图为嘉兴科民电子为光电器件研究领域研发的“原位监测等离子增强原子层沉积系统”
 
2004年石墨烯被发现以来,二维材料吸引了材料,电子,能源等众多领域研究者的关注。2010年开始被广泛关注的过渡金属硫族化合物是具有合适带隙的半导体型二维材料,在电子与光电器件应用等方面展现出巨大潜力,为后摩尔时代集成化电子器件的研究开辟了新的方向。二硫化钼及二硫化钨等具有代表性的过渡金属硫化物二维材料具的半导体带隙与硅、砷化镓等材料接近,并且带隙宽度随薄膜厚度变化明显,具有成为新型光电探测器的潜力。


胡伟达等研究人员,将传统浮栅存储器结构引与光电探测器进行完美结合,利用浮栅能够捕获和释放载流子的特性,引入一种垂直的“局域电场”,该局域电场能够完全耗尽背景载流子,克服了之前存在的界面缺陷,高浓度背景载流子等问题。通过这一浮栅结构提高了光电器件在弱光下的探测能力,同时具有优异的低功耗特性。该浮栅结构的探测器电流响应率可达1090A/W,探测率达3.5×1011Jones。这一成果为基于二维材料的光电子器件提供了新方法与新思路。
                 
注:上图为文章内的光电探测器的具有很低的背景载流子强度
 
嘉兴科民电子祝贺中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室胡伟达研究员、武汉大学廖蕾教授及其团队成员在二维材料光电探测器方面取得的积极进展。同时希望能够在相关领域继续深度合作,取得进一步成果。
关于我们 法律声明 管理入口 联系我们
Copyright © 2004-2017 jc.ac.cn. All rights reserved. 浙江中科院应用技术研究院 版权所有
  电话:0573-82585299 82585221 传真:0573-82585222 地址:浙江省嘉兴市亚太路778号中科院园区 邮编:314022
嘉兴市信息化和工业化融合促进中心 推荐 嘉兴市中经电子商务有限公司 提供技术支持 浙ICP备09024698号