近日，北京大学高科技设备采购了嘉兴市南湖区生产的微电子核心部件，即由中科院嘉兴微电子仪器与设备工程中心与嘉兴科民电子设备技术有限公司合作研制的ALD设备 (TALD-100)用栅长15纳米的碳纳米管优越性能的CMOS器件。其中关键的HfO2高k栅介质是由嘉兴科民电子ALD制备，该介质CV曲线没有迴线，不存在短沟道效应和漏电。TALD-100是由美国硅谷专家和中科院专家联合研发，设备内腔采用SiC高集成设计，前驱体源消耗只是通常的20%，可低温生长各种高质量薄膜。